[发明专利]半导体激光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200580034733.6 | 申请日： | 2005-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101040409A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 吉本晋;松原秀树;齐藤裕久;三崎贵史;中西文毅;森大树 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/18 | 分类号： | H01S5/18;H01S5/12 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中主面(3a)延伸的方向上具有在衬底(3)上形成的氮化镓外延层(2a)和低折射率材料(2b)的光子晶体层(7)，该低折射率材料(2b)具有低于外延层(2a)的折射率；衬底(3)上形成的n－型敷层(4)；衬底(3)上形成的p－型敷层(6)；插入n－型敷层(4)和p－型敷层(6)之间且当往其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及覆盖直接位于光子晶体层(7)上的区域的GaN层(12)。因此，可以在没有熔化工序的条件下，制造该半导体激光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件(1)，包括：具有主面(3a)的衬底(3)；在其中所述主面延伸的方向上形成在所述衬底上、并具有氮化镓的外延层(2a)和低折射率材料(2b)的二维衍射光栅(7)，该低折射率材料(2b)具有低于所述外延层的折射率；所述衬底上形成的第一导电型敷层(4)；所述衬底上形成的第二导电型敷层(6)；插入所述第一导电型敷层和所述第二导电型敷层之间、且当向其中注入载流子时发光的有源层(5)；以及含氮化镓的层(12)，其覆盖直接位于所述二维衍射光栅上的区域。
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