[发明专利]实施具有平面型迁移的谐振异质结构的方法无效

专利信息
申请号: 200580034677.6 申请日: 2005-10-12
公开(公告)号: CN101040389A 公开(公告)日: 2007-09-19
发明(设计)人: J·埃默里;P·根蒂尔 申请(专利权)人: 法国原子能委员会
主分类号: H01L29/88 分类号: H01L29/88;H01L21/329;H01L29/15;H01L29/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曹若
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及电子迁移器件,它包括:至少一个迁移层(6),其中产生至少一个周期性位错和/或缺陷阵列;以及用于在所述迁移层的平面中,导引电子的装置(4,60,62,64,70,72)。
搜索关键词: 实施 具有 平面 迁移 谐振 结构 方法
【主权项】:
1.电子迁移器件,它包括:-至少一个迁移层(6),其中产生至少一个周期性位错和/或缺陷阵列,-用于在所述迁移层的平面中,导引电子的装置(4,60,62,64,70,72),所述迁移层具有:至少一个在第一方向的细长区域(60,62,64,70,72)的形式,在此区域中周期阵列有第一周期;至少一个在不同于所述第一方向的第二方向的第二细长区域,此第二区域中的周期阵列有第二周期,此第二周期不同于所述第一周期。
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