[发明专利]形成共面晶片级芯片封装的方法有效
| 申请号： | 200580032595.8 | 申请日： | 2005-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101027765A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 罗伊德·巴雷尔;陈浩;许履尘;沃尔夫冈·索特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/14;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李春晖 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了形成共面多芯片晶片级封装的经济的方法。使用局部晶片接合和局部晶片切片技术来形成芯片和凹穴。然后将完成的芯片安装到载体衬底的对应的凹穴中，在完成的芯片的顶部平坦表面上形成芯片间的全局互连。所提供的方法便利了用不同的工艺步骤和材料制造的芯片的集成。不再需要使用平坦化工艺比如化学机械抛光来使芯片的顶面平面化。由于芯片被相互精确对准并且所有芯片都朝上安装，模块已经准备好了进行全局布线，这就不需要将芯片从倒置位置翻转过来。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 晶片 芯片 封装 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成多芯片晶片级封装的方法，包括：在多个芯片衬底上形成多个不同类型的芯片，其中，所述多个芯片衬底中的每一个用于仅形成单一类型的芯片；将所述多个不同类型的芯片从所述多个芯片衬底上分离下来；在载体衬底中形成凹穴，其中，每一个凹穴容纳所述不同类型的芯片中的一个；以及将所述多个芯片安装到它们在所述载体衬底中的相应凹穴中，使得所述多个芯片的顶面与所述载体衬底的顶面基本上共面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200580032595.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
