[发明专利]适应性等离子源及使用该等离子源加工半导体晶片的方法

摘要

公开了一种适应性等离子源，以及一种使用该等离子源加工半导体晶片的方法。所述适应性等离子源包括：第一平板衬套，该第一平板衬套装配在限定用于加工半导体晶片的反应空间的反应室的上部中心处，且面对装配在反应室下部处的平板电极；以及线圈组件，所述线圈组件从位于所述反应室上部的所述第一衬套螺旋地延伸并环绕所述第一衬套。所述适应性等离子源能够根据用于加工半导体晶片的方法而通过自由地控制耦合等离子源和感应式耦合等离子源的蚀刻特性来进行蚀刻过程，从而能在单一设备中进行具有不同条件的蚀刻过程。

主权项

1.一种适应性等离子源，包括：第一平板衬套，其装配在限定用来加工半导体晶片的反应空间的反应室的上部中心处，并面对着装配在所述反应室下部处的平板电极；以及线圈组件，所述线圈组件从位于所述反应室上部处的所述第一衬套螺旋地延伸并环绕所述第一衬套。