[发明专利]衬底处理装置无效
申请号: | 200580030320.0 | 申请日: | 2005-05-23 |
公开(公告)号: | CN101015049A | 公开(公告)日: | 2007-08-08 |
发明(设计)人: | 饭田义和;房野正幸;小林诚;曾根田荣悦 | 申请(专利权)人: | S.E.S.株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/304 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种衬底处理装置(1),其中,在衬底支承体(2)上放置被处理衬底(W),在使衬底支承体(2)旋转的同时,将处理液滴落于上述衬底表面上,进行该表面的处理,其特征在于上述衬底支承体(2)包括呈圆形深皿状的基座(3);顶板(10),该顶板的整体呈圆盘状,其纵向的截面呈倒梯形状,该顶板(10)嵌入上述基座的顶部开口;中空的旋转轴(15),该中空的旋转轴设置于上述基座(3)或上述顶板(10)的旋转中心,在从通过该嵌入而相互接触的顶板(10)的接触面(13)和上述基座(3)的顶部开口的接触面(5a)中选择的至少一个面上,形成吹气喷嘴(14),该吹气喷嘴由从中空的旋转轴(15),朝向外方,呈辐射状延伸的多个狭缝状槽形成。本发明提供具有不需要装配时的吹出喷嘴的调节,装配作业简单的衬底支承体的衬底处理装置。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理装置,在该衬底处理装置中,将被处理衬底放置于衬底支承体上,在使该衬底支承体旋转的同时,将处理液滴落于上述衬底表面上,进行该表面的处理,其特征在于:上述衬底支承体包括基座、顶板、中空的旋转轴,其中,上述基座呈圆形深皿状,上述顶板的整体呈圆盘状,其纵向的截面呈倒梯形状,且该顶板嵌入上述基座的顶部开口,上述中空的旋转轴设置于上述基座或上述顶板的旋转中心;在从通过该嵌入而相互接触的上述顶板的接触面和上述基座的顶部开口的接触面中选择的至少一个面上,形成吹气喷嘴,该吹气喷嘴由从中空的旋转轴,朝向外方,呈辐射状延伸的多个狭缝状槽形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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