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- [发明专利]电镀方法-CN200780036924.5无效
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宫田清藏;清水哲也;田岛永善;曾根正人
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S.E.S.株式会社;宫田清藏
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2007-09-21
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2009-09-16
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C25D5/00
- 在于金属基体的表面上进行电镀时，包括二氧化碳和惰性气体中的至少一者，分散有金属粉末的电镀液和表面活性剂，在超临界状态或亚临界状态，采用诱导共析现象，进行电镀。由于电镀液中的金属浓度为饱和或过饱和状态，故可抑制金属基体的溶解速度，并且采用诱导共析现象，在短时间获得平滑表面的电镀层。本发明的电镀方法可适用于下述情况，即，金属基体由形成在设置于基板上的绝缘膜的表面上的金属薄膜形成的情况下，上述金属为铜、锌、铁、镍、钴时都可以适用。通过采用这样的方案，可提供下述的电镀方法，在于金属基体的表面上进行电镀时，可防止金属基体的溶解，即使是极薄的金属基体，仍可正常地进行电镀。
- 电镀方法
- [发明专利]无电解镀方法-CN200780041706.0无效
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宫田清藏;清水哲也;田岛永善;曾根正人
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S.E.S.株式会社;宫田清藏
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2007-10-24
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2009-09-16
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C23C18/31
- 本发明的无电解镀方法在于金属基体试样(22)的表面上进行无电解电镀时，在无电解镀液(19)中分散有金属粉末的状态下，采用超临界流体或亚临界流体，进行无电解镀。如果这样，利用诱导共析现象，在短时间内获得均质而较厚的电镀层。在本发明的无电解镀方法中，金属粉末可采用平均粒径在1nm以上，在100μm以下的粉末，还可适用于作为半导体元件内的细微金属布线形成方法的金属镶嵌(damascene)法或双道金属镶嵌(dual damascene)法。通过上述方案可提供，采用亚临界流体或超临界流体，并且利用诱导共析现象，可短时间地通过无电解镀而获得均匀的膜的无电解镀方法。
- 电解方法
- [发明专利]衬底处理设备-CN200580030319.8无效
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中务胜吉;山口弘;小笠原和久;木泽浩
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S.E.S.株式会社
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2005-05-23
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2007-11-14
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H01L21/304
- 本发明涉及一种衬底处理设备，该衬底处理设备包括在上方具有开口部的箱型的处理槽(11)；以可开闭的方式覆盖该处理槽的开口部的盖体(21)，其特征在于在上述盖体(21)的内部，形成接纳被处理衬底(W)，对其进行干燥的干燥室(23)，上述处理槽(11)中，在构成上述箱型的面对的各侧壁面上，分别以规定间距间隔开地水平地设置至少3根处理液供给喷嘴管(14a)～(14c)，(14a’)～(14c’)，这些供给喷嘴管(14a)～(14c)，(14a’)～(14c’)与切换机构连接，从面对的侧壁侧，相互切换，供给处理液。本发明提供将各种化学液处理、水洗和干燥的处理可在同一处理槽内进行的衬底处理设备。
- 衬底处理设备
- [发明专利]衬底处理装置-CN200580034403.7无效
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木泽浩;古贺贵博;中务胜吉;小笠原和久;山口弘
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S.E.S.株式会社
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2005-05-23
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2007-10-24
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H01L21/304
- 一种衬底处理装置，具备四方用侧壁(2b～2e)包围、上部开口的有底的容器组成的处理槽(1)，和供给此处理槽(1)处理液的第1、第2供给喷嘴管(10a～10d)，其特征在于，上述第1、第2供给喷嘴管(10a～10d)，分别由中空筒状体、在长方向的侧面上以规定间隔排列成1列的具有多个喷射口(11)的供给喷嘴管组成，其中第1供给喷嘴管(10b、10d)，使其喷射口相对于水平方向以规定角度倾斜，向下方倾斜，第2供给喷嘴管(10a、10c)，使其喷射口相对于水平方向以规定角度倾斜，向上方倾斜，在上述处理槽的一侧壁面(2b)上空开规定间隔，设置成大致水平。本发明提供一种使处理槽内的处理液不滞流、能够进行均一的衬底的处理，还极易除去微粒的衬底处理装置。
- 衬底处理装置
- [发明专利]衬底处理装置-CN200580030320.0无效
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饭田义和;房野正幸;小林诚;曾根田荣悦
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S.E.S.株式会社
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2005-05-23
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2007-08-08
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H01L21/68
- 一种衬底处理装置(1)，其中，在衬底支承体(2)上放置被处理衬底(W)，在使衬底支承体(2)旋转的同时，将处理液滴落于上述衬底表面上，进行该表面的处理，其特征在于上述衬底支承体(2)包括呈圆形深皿状的基座(3)；顶板(10)，该顶板的整体呈圆盘状，其纵向的截面呈倒梯形状，该顶板(10)嵌入上述基座的顶部开口；中空的旋转轴(15)，该中空的旋转轴设置于上述基座(3)或上述顶板(10)的旋转中心，在从通过该嵌入而相互接触的顶板(10)的接触面(13)和上述基座(3)的顶部开口的接触面(5a)中选择的至少一个面上，形成吹气喷嘴(14)，该吹气喷嘴由从中空的旋转轴(15)，朝向外方，呈辐射状延伸的多个狭缝状槽形成。本发明提供具有不需要装配时的吹出喷嘴的调节，装配作业简单的衬底支承体的衬底处理装置。
- 衬底处理装置
- [发明专利]基板清洗系统-CN01118479.5无效
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大藏领一;小野祐司;山口弘;高石美雪;上川内秀夫
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S.E.S.株式会社
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2001-06-01
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2003-01-08
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H01L21/304
- 一种基板清洗系统在以可密封的方式形成的装置主体1的内部,设置有装卸室A,该装卸室由清洗处理前的晶片W进行送入等待的基板送入部Aa和清洗处理后的晶片进行送出等待的基板送出部Ab构成;处理室C,该处理室C具有逐张地对晶片W进行清洗处理的两个单张式的基板清洗腔10机器人室B,该机器人室B具有在上述两个室A,C之间逐张地输送晶片W的输送机器人70,这些室A,B,C按照具有必要的最小程度的开口面积的隔壁2,3,分隔形成。
- 清洗系统
- [发明专利]基板处理装置-CN01130871.0无效
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小笠原和久;中务胜吉;庄盛博文;乙训贤二;渡边和俊;高桥博树
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S.E.S.株式会社
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2001-08-30
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2002-07-17
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H01L21/304
- 基板处理装置,可以抑制半导体晶片等的基板上附着的粒子和水印等的污染物质,此基板处理装置10具有收容被处理基板(例如晶片W)的处理槽11和、向处理槽11的内部供给处理液(例如纯水)的处理液导入管21和、收容有机溶剂液S(例如IPA溶液)的蒸气发生槽61和、从处理槽11排出处理液的处理液排出槽30和、加热蒸气发生槽61内的有机溶剂液S的溶液加热装置62。蒸气发生槽61将从有机溶剂液S产生的蒸气导入到处理槽11的内部,溶剂加热装置62,当晶片W的表面是疏水性时,将蒸气发生槽61内的有机溶剂液S加热到50℃±5℃、当晶片W的表面是亲水性时,将有机溶剂液S加热到70℃±5℃。
- 处理装置
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