[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200580029869.8 | 申请日： | 2005-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101120439A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 史蒂文·T·皮克 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10;H01L29/41;H01L29/417 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括第一导电类型的源极和漏极区(13，14，14a)、以及将源极和漏极区分离的第二相反导电类型的沟道容纳区(15)。该器件包括与沟道容纳区相邻地延伸的栅极(11，42)。该方法包括步骤：在与栅极(11，42)位置侧向间隔的位置处的器件的半导体体中刻蚀沟槽(27)；以及通过沟槽底部(27b)将第二导电类型的掺杂剂注入到体中，以在漏极区中形成第二导电类型的局部区域(37)。在完成器件中局部区域(37)的尺度和掺杂水平是这样的：当耗尽时局部区域和相邻部分的漏极区提供电压维持空间电荷区。这用于以经济的方式改善所得到的器件中的导通电阻和击穿电压之间的权衡。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造包括半导体体(10)的半导体器件的方法，所述半导体体包括顶部和底部主表面、第一导电类型的源极和漏极区(13，14，14a)、以及将源极和漏极区分离的第二相反导电类型的沟道容纳区(15)，所述器件还包括与沟道容纳区相邻地延伸的栅极(11，42)，所述方法包括步骤：(a)在与栅极(11，42)位置侧向间隔的位置处的体(10)的顶部主表面(10a)中刻蚀沟槽(27)；以及(b)通过沟槽底部(27b)将第二导电类型的掺杂剂注入到体中，以在漏极区(14)中形成第二导电类型的局部区域(37)，在完成器件中所述局部区域的尺度和掺杂水平是这样的：当耗尽时所述局部区域和相邻部分的漏极区提供电压维持空间电荷区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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