[发明专利]薄膜形成方法及薄膜形成装置

摘要

本发明是一种在连接能够减压的处理容器和真空泵的排气通路上设置传导阀，将被处理基板配置在上述处理容器内，在成膜处理时间内，使包括供给第一反应气体的第一步骤与供给第二反应气体的第二步骤的循环进行一次或反复多次，利用上述第一反应气体与上述第二反应气体之间的化学反应在上述基板上形成膜的薄膜形成方法，采用了如下薄膜形成方法，其包括：第一工序，在先于上述成膜处理时间的开始的准备时间内，为上述处理容器内进行排气，同时将所期望的气体以设定流量供给至上述处理容器内，对在上述处理容器内的压力基本与设定值一致时的上述传导阀的阀门开度进行鉴定并作为标准值；和第二工序，在上述成膜处理时间中的各个上述循环中，至少在上述第一及第二步骤中将上述传导阀的阀门开度保持在上述标准值。

主权项

1.一种薄膜形成方法，其特征在于：是在连接能够减压的处理容器和真空泵的排气通路上设置传导阀，将被处理基板配置在所述处理容器内，在成膜处理时间内，使包括供给第一反应气体的第一步骤与供给第二反应气体的第二步骤的循环进行一次或反复多次，利用所述第一反应气体与所述第二反应气体之间的化学反应在所述基板上形成膜的薄膜形成方法，其包括，第一工序，在先于所述成膜处理时间的开始的准备时间内，为所述处理容器内进行排气，同时，将所期望的气体以设定流量供给至所述处理容器内，对在所述处理容器内的压力与设定值基本一致时的所述传导阀的阀门开度进行鉴定并作为标准值；以及第二工序，在所述成膜处理时间中的各个所述循环内，至少在所述第一以及第二步骤中，将所述传导阀的阀门开度保持在所述标准值。