[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200580023267.1 | 申请日： | 2005-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN1985363A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 栗原优;伊泽胜 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体衬底上隔着栅极绝缘膜用的绝缘膜形成了多晶硅膜(5)(步骤S1)后，在多晶硅膜(5)上形成有机类的防反射膜(21)(步骤S2)，在防反射膜(21)上形成抗蚀剂图案(22)(步骤S3)。然后，一边向半导体衬底施加偏压，一边利用使用了氟碳类气体的等离子，以覆盖抗蚀剂图案(22)的方式在防反射膜(21)上淀积保护膜(23)(步骤S4)。然后，利用使用了包含氧气的气体的等离子，对保护膜(23)和防反射膜(21)进行蚀刻(步骤S5)。之后，将减少了边缘粗糙度的抗蚀剂图案(22)用作蚀刻掩模，对多晶硅膜(5)进行蚀刻，形成栅极电极(步骤S6)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于：包括以下的步骤，(a)准备具有被加工层的半导体衬底的步骤，(b)在上述被加工层上形成抗蚀剂图案的步骤，(c)在上述被加工层上覆盖上述抗蚀剂图案地形成第1材料膜的步骤，(d)除去上述第1材料膜的至少一部分的步骤，(e)在上述(d)步骤后，将上述抗蚀剂图案和上述第1材料膜的残存部分作为蚀刻掩模，对上述被加工层进行蚀刻的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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