[发明专利]立体声分离调整电路及其MOS集成电路无效

专利信息
申请号: 200580021115.8 申请日: 2005-06-08
公开(公告)号: CN1985456A 公开(公告)日: 2007-06-20
发明(设计)人: 青山孝志;宫城弘 申请(专利权)人: 新泻精密株式会社
主分类号: H04H5/00 分类号: H04H5/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 浦柏明;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明可不使动态范围变窄地对分离电平进行调整。在输入混合信号的MOS晶体管Q5和输入基准电压的MOS晶体管Q6的源极之间并联连接有被串联连接的电阻R1与开关元件SW1、R2与SW2、R3与SW3......。在直流工作中,电阻R1~R5不影响MOS晶体管Q5的输出电压,在交流工作时,改变并联连接的电阻R1~R5的值,由此,可对分离电平进行调整。
搜索关键词: 立体声 分离 调整 电路 及其 mos 集成电路
【主权项】:
1.一种立体声分离调整电路,其中具备:第一和第二差动放大电路,对用于解调立体声复合信号的预定频率的信号进行差动放大;第一MOS晶体管,与所述第一差动放大电路级联连接,对栅极输入立体声复合信号;第二MOS晶体管,与所述第二差动放大电路级联连接,对栅极输入将立体声复合信号反转后的信号或者基准电压;切换电路,在所述第一和第二MOS晶体管的源极间并联连接有多个包含电阻和开关元件的电路;第一电流源,连接在所述第一MOS晶体管上;以及第二电流源,连接在所述第二MOS晶体管上,接通、断开所述开关元件,使所述第一和第二MOS晶体管的源极间的电阻值变化,调整分离电平。
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