[发明专利]具有凹槽器件的存储器有效
| 申请号： | 200580017401.7 | 申请日： | 2005-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1961414A | 公开（公告）日： | 2007-05-09 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·D·伯内特;苏雷什·文卡特森 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 黄启行;穆德骏 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种存储单元(100，101)，包括具有不同大小的关联绝缘凹槽(908)的器件。对应晶体管的有效沟道宽度基本上与沟道顶部表面宽度加上两倍的由绝缘凹槽(908)形成的侧壁宽度相同。在SRAM单元(100，101)中，通过形成较大的凹槽(908)，并因此在围绕着锁存晶体管(112)的绝缘层(906)中形成较大的侧壁(1306，1310)，并且通过限制用于导通晶体管的这样的凹槽，锁存晶体管(112)具有比关联的导通晶体管(108)更大的有效沟道宽度。在存储单元(100，101)的制造过程中，一种掩膜用于在暴露锁存晶体管112的区域时遮盖导通晶体管(102)的区域。因此，锁存晶体管(112)周围的绝缘层中的凹槽可在不影响导通晶体管(108)周围的对应区域情况下形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹槽 器件 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种包含存储单元的装置，所述存储单元包括：具有第一绝缘凹进量的第一器件；以及连接到第一器件的第二器件，第二器件具有与第一绝缘凹进量不同的第二绝缘凹进量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
