[发明专利]在先进CMOS技术中应变Ge的集成有效
| 申请号： | 200580015590.4 | 申请日： | 2005-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1954439A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 尚慧玲;M·艾昂;J·O·舒;K·W·古亚里尼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L31/0328;H01L31/0336;H01L29/739;H01L31/072;H01L21/337;H01L21/3205;H01L21/8249;H01L21/331;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;刘瑞东 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在压缩应变Ge层(100)中制造PFET器件的结构和方法。该器件的制造方法与标准CMOS技术兼容，并且完全可升级。该方法包括选择性外延沉积Ge含量大于50％的缓冲层(101)、纯Ge层(100)和SiGe顶层(120)。制造的在压缩应变Ge层中寄宿的掩埋沟道PMOS器件相对于类似的Si器件显示出较好的器件特性。 | ||
| 搜索关键词： | 先进 cmos 技术 应变 ge 集成 | ||
【主权项】：
1.一种叠层结构，包括：SiGe籽晶层(101)，其中所述SiGe籽晶层是单晶，并且Ge浓度大约在50％到90％之间；以及压缩应变Ge层(100)，覆盖所述SiGe籽晶层(101)，其中所述压缩应变Ge层是单晶，并且与所述SiGe籽晶层有外延关系。
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