[发明专利]制造芯片和相关支撑的方法无效
| 申请号： | 200580013475.3 | 申请日： | 2005-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1947240A | 公开（公告）日： | 2007-04-11 |
| 发明（设计）人： | B·吉斯勒;O·雷萨克 | 申请（专利权）人： | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造多个芯片的方法，每个芯片包括至少一个电路，该方法包括下述连续步骤：在半导体材料层上产生芯片，所述层与衬底成一整体；将包括芯片的所述层从衬底转移到支撑；通过根据预定切割图案切割所述层而形成各个芯片。本发明的特征在于，该方法还包括，在将层转移到支撑之前，在支撑上形成对应于切割图案的弱化图案。本发明还涉及用于制造相关支撑的方法和所述支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 芯片 相关 支撑 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造多个芯片的方法，每个芯片包括至少一个电路，该方法包括下述的连续步骤：-在半导体材料层上产生芯片，所述层与衬底成一整体；-将包括芯片的所述层从衬底转移到支撑；-通过根据预定切割图案切割所述层而形成单个芯片；该方法的特征在于，在将层转移到支撑之前，它还包括在支撑上形成对应于切割图案的弱化图案。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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