[发明专利]使用超临界流体基组合物促进含硅粒子物质的去除无效
| 申请号： | 200580010321.9 | 申请日： | 2005-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN1938415A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 迈克尔·B·科岑斯基;托马斯·H·鲍姆 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | C11D3/44 | 分类号： | C11D3/44;C23G1/00;B08B3/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了用于从图案化Si/SiO2半导体晶片表面去除含硅粒子物质例如氮化硅和氧化硅的方法和组合物。该组合物包括超临界流体(SCF)、蚀刻剂类物质、共溶剂、表面钝化剂、结合剂、去离子水和任选的表面活性剂。该SCF基组合物在后续加工之前从晶片表面基本去除污染性粒子物质，从而改善半导体器件的形态、性能、可靠性和产量。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 临界 流体 组合 促进 粒子 物质 去除 | ||
【主权项】：
1.用于从半导体晶片表面去除含硅粒子物质的组合物，所述组合物包含超临界流体(SCF)、至少一种共溶剂、至少一种蚀刻剂类物质、至少一种表面钝化剂、与所述含硅粒子物质相互作用以促进其去除的结合剂、去离子水及任选的至少一种表面活性剂。
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