[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种高耐压的半导体器件。由细长的主沟槽部(26)和与主沟槽部的长度方向侧面连接的副沟槽部(27)构成有源沟槽(22a)，在主沟槽部(26)的底面上，配置其高度比第二导电类型的基底扩散区(32a)的底面低的第二导电类型的埋入区(24)，在副沟槽部(27)内配置与基底扩散区(32a)接触的第二导电类型的有源沟槽充填区(25)。埋入区(24)经有源沟槽充填区(25)与基底扩散区(32a)接触。在1条有源沟槽(22a)内，由于在埋入区(24)之上的部分形成1条栅沟槽(83)，所以栅电极栓(48)不被分断，电极图形变得简单。

主权项

1.一种半导体器件，具有：第1导电类型的电阻层；笫2导电类型的多个保护埋入区，形成在上述电阻层内部，被配置成同心状；第2导电类型的多个基底扩散区，配置在上述电阻层内部的表面附近，比最内周的上述保护埋入区靠内侧；第1导电类型的源扩散区，分别形成在比上述各基底扩散区的边缘靠内侧的区域的上述各基底扩散区内部的表面附近，比上述各基底扩散区浅；沟道区，在上述各基底扩散区的边缘附近，并在上述各基底扩散区的边缘与上述各源扩散区的边缘之间；栅绝缘膜，至少位于上述各沟道区上；栅电极膜，位于上述栅绝缘膜上；以及多个第2导电类型的基底埋入区，在上述各基底扩散区底面上各配置多个，分别连接于上述各基底扩散区上，位于相同的上述基底扩散区底面的相邻上述基底埋入区之间的距离Wm1、位于不同的上述基底扩散区的底面而相邻的上述基底埋入区之间的距离Wm2、以及在比上述基底扩散区的底面深的位置的上述保护埋入区彼此之间的距离WPE有下述(a)式的关系，即Wm1＜WPE＜Wm2 ……(a)，上述各基底埋入区的底面与上述各保护埋入区的底面位于实质上相同的深度，上述各基底扩散区的底面位于实质上相同的深度，在比最内周的上述保护埋入区的宽度方向中央位置靠内侧的区域中，上述基底埋入区和上述保护埋入区的底面与上述基底扩散区的底面之间的区域中包含的上述第1导电类型的杂质量Q1、以及上述第2导电类型的杂质量Q2有下述(b)式的关系，即0.90＜Q2/Q1 ……(b)。