[发明专利]带有预电离的脉冲式磁控管溅射沉积无效
| 申请号： | 200580009301.X | 申请日： | 2005-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN1985022A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 米亥·冈休－佩特苏;米歇尔·赫柯;让－皮埃尔·道科特;斯蒂弗诺斯·康斯坦蒂尼迪斯;让·布瑞塔格恩;路多维克·德普克斯;米歇尔·陶则优 | 申请（专利权）人： | 玛特里亚诺瓦公司;国家科研中心;巴黎第十大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01J37/34 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 本发明涉及在装着磁控管阴极(CM)的磁控管反应器(1)中于基片(11a)上沉积至少一种的材料，在脉冲方式下离子化的气体的帮助下通过磁控管阴极雾化所述材料蒸发。为了促进形成持续时间短的高电流脉冲同时避免形成电弧以便能有效地离子化雾化蒸气，在对磁控管阴极(CM)施加主电压脉冲之前预电离气体，从而能生成在主电压脉冲(VP)截止后延迟时间(Td)小于5μs的电流脉冲(CP)。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 电离 脉冲 式磁控管 溅射 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种在装着磁控管阴极(MC)的磁控管反应器(1)中在基片(11a)上沉积至少一种材料的方法，按照该方法利用通过对该磁控管阴极(MC)施加主电压脉冲(VP)而以脉冲方式离子化的气体、通过磁控管溅射使所述材料蒸发，该方法特征在于，在每个主电压脉冲(VP)之前使气体预电离从而产生在主电压脉冲(VP)截止后其延迟时间(Td)小于5μs的电流脉冲(CP)。
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