[发明专利]锥形单元的金属氧化物半导体高电压器件结构无效
| 申请号： | 200580008214.2 | 申请日： | 2005-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN1930690A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | T·莱塔维克;J·佩特鲁泽洛;M·辛普森 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 顾珊;张志醒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 场效应电子器件(100，600)(例如FET，如VDMOS)包括设置在电介质层(104，608)上的场板(105，107)，所述电介质层靠近半导体层(103，602)设置，其中器件的漂移区在半导体层中。跨越漂移区，掺杂水平基本非线性变化，且该器件表现出基本恒定的减小的表面电场。制造场效应器件的方法包括在器件的半导体层的漂移区中提供非线性非均匀的掺杂密度，其中半导体层和电介质层都具有非恒定的密度。电介质层可由低k电介质材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 锥形 单元 金属 氧化物 半导体 电压 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种场效应电子器件，包括：设置在介电层上的场板；设置在电介质层下方的半导体层；在半导体层中的漂移区，该漂移区具有跨越漂移区基本上非线性变化的掺杂水平，且该器件呈现出基本上恒定的减小的表面电场。
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