[发明专利]减少斜壁沉积的硬件设备

摘要

根据本发明的实施例涉及可以单独或组合使用以减少或消除在半导体工件(882)的斜壁上沉积材料的各种技术。在一种方法中，遮蔽环(880)位于衬底(882)边缘的上方，以阻挡气体流至斜壁区域。遮蔽环的边缘(880a)的几何特征将气流向晶片引导，以便在遮蔽边缘的同时保持沿晶片的厚度均匀性。在另一个方法中，衬底加热器/支撑被构造成使净化气体流动至被支撑的衬底的边缘。这些净化气体阻挡处理气体到达衬底边缘以及在斜壁区域上沉积材料。

主权项

1.一种在工件上化学气相沉积材料的方法，该方法包括：定位遮蔽环，所述遮蔽环特征在于位于支撑于处理室内的衬底边缘区域上方的倾斜突出部分，所述遮蔽环在所述边缘区域上方延伸约0.8-2.0mm之间的距离并与所述边缘区域分离约0.0045″±0.003″的间隙；流动处理气体至所述室；并且施加能量至所述室，以在所述室中产生等离子体，使得所述处理气体的反应导致材料沉积于所述边缘区域外部。