[发明专利]利用处理的光刻胶来制造半导体器件的方法

摘要

通过刻图用于形成晶体管(80、82、84)栅极(60、62、64)的导电层(16)制造半导体器件(50)。形成栅极(60、62、64)的工艺具有刻图覆盖导电层(16)的光刻胶(54、56、58)的步骤。剪裁刻图的光刻胶(54、56、58)使得其宽度降低。向剪裁的光刻胶(54、56、58)施加氟，优选为F₂，以增大其硬度及其对于导电层的选择性。利用剪裁的和氟化的光刻胶(54、56、58)作为掩模，刻蚀导电层(16)形成用作栅极(60、62、64)的导电元件。形成晶体管(80、82、84)，其中导电柱是栅极(60、62、64)。其它卤素，具体为氯，可代替氟。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供衬底；提供覆盖所述衬底、将被刻图的层；提供覆盖在所述将被刻图的层上的刻图的光刻胶层，所述刻图的光刻胶层具有最小尺度；剪裁所述刻图的光刻胶层；处理所述剪裁的刻图的光刻胶层，以使所述光刻胶层的性质变得对于后续刻蚀处理更加耐受；以及将所述剪裁的刻图光刻胶层的图案传送至将要被刻图的层。