[发明专利]具有静电放电保护器件的集成电路芯片无效
申请号: | 200580003393.0 | 申请日: | 2005-01-20 |
公开(公告)号: | CN1957472A | 公开(公告)日: | 2007-05-02 |
发明(设计)人: | W·施尼特;H·-M·赖特 | 申请(专利权)人: | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 顾珊;王忠忠 |
地址: | 荷兰艾*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 本发明涉及集成电路芯片,依次包括衬底材料的衬底层、绝缘材料的绝缘层、第一导电材料的第一导电层、介电材料的介电层,第二导电材料的第二导电层,所述集成电路芯片包括至少一个集成电路和至少一个集成的静电放电保护器件,所述静电放电保护器件包括一对隔开的中心和圆周电极,中心电极由第一导电层形成,圆周电极由第二导电层形成,所述电极由胆甾火花隙空腔分开,其中胆甾火花隙空腔的环形面包括由集成电路芯片的绝缘层形成的基层,由圆周电极形成的侧壁,由集成电路芯片的介电层形成的覆盖层,环中心由包括与绝缘层接触的接触焊盘的中心电极形成,所述静电放电保护器件也包括电连接中心电极到输入电路路径以免受静电放电的装置,和电连接圆周电极到包括与电路接地或电路电源电压的连接的静电放电通道的装置。本发明也涉及一种制造这样的集成电路芯片的方法。 | ||
搜索关键词: | 具有 静电 放电 保护 器件 集成电路 芯片 | ||
【主权项】:
1、一种集成电路芯片,依次包括衬底材料的衬底层、绝缘材料的绝缘层、第一导电材料的第一导电层、介电材料的介电层和第二导电材料的第二导电层,所述IC芯片包括至少一个集成电路和至少一个集成的静电放电保护器件,所述静电放电保护器件包括一对隔开的中心和圆周电极,该中心电极由第一导电层形成,该圆周电极由第二导电层形成,所述电极由胆甾火花隙空腔隔开,其中胆甾火花隙空腔的环包括由集成电路芯片的绝缘层形成的基层,由圆周电极形成的侧壁,由集成电路芯片的介电层形成的覆盖层,环中心由包括与绝缘层接触的接触焊盘的中心电极形成,所述静电放电保护器件也包括电连接中心电极到输入电路路径以保护免受静电放电的装置,和电连接圆周电极到包括与电路接地或电路电源电压的连接的静电放电路径的装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的