[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510137610.7 | 申请日： | 2005-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1819247A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 李相基 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐谦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，光响应特性得到增强并且微透镜可通过将微透镜嵌入钝化层图案中而在封装中得到保护。本发明包括：半导体基板；光电二极管，在半导体基板中形成；金属线，在半导体基板之上，用于光电二极管的电连接；绝缘层，在半导体基板之上，用于金属线的绝缘；钝化层图案，在绝缘层上；以及微透镜，在绝缘层上形成以嵌入在钝化层图案中。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器，包括：半导体基板；光电二极管，在所述半导体基板中形成；金属线，在所述半导体基板之上，用于所述光电二极管的电连接；绝缘层，在所述半导体基板上，用于所述金属线的绝缘；钝化层图案，在所述绝缘层上；以及微透镜，在绝缘层上形成以嵌入在钝化层图案中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
