[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法无效
申请号: | 200510125092.7 | 申请日: | 2005-11-18 |
公开(公告)号: | CN1794430A | 公开(公告)日: | 2006-06-28 |
发明(设计)人: | 泉昭;佐野谦一 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫;王玉双 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置和方法,可以在抑制损坏基板的同时对基板进行均匀的处理。与由多个卡盘销保持的基板对向而配置遮断板,通过从处理液喷嘴向基板表面和遮断板的对置面所夹持的空间中供给处理液,形成处理液的液密状态。并且,保持形成处理液的液密状态原样,使基板和遮断板旋转。在此状态,从超声波喷嘴对遮断板的对置面大致垂直地喷射传播了超声波振动的液体(纯水)。超声波振动在遮断板的内部向水平方向扩展,其中一部分的振动波从遮断板的对置面向液密状态的处理液扩展大范围并均匀地传递,使该处理液振动。为此,对基板表面振动能量不集中,可以在抑制基板损坏的同时对基板均匀处理。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,包括:基板保持装置,其将基板以大致水平姿势保持;振动构件,其由能够传播超声波振动的材料形成,同时,具有能够和由上述基板保持装置保持的基板的被处理面相对向的对置面,该对置面与上述被处理面分离开并相对向;处理液供给装置,其通过向上述基板的被处理面和上述振动构件的对置面所夹持的空间中供给处理液,从而在该空间中将上述处理液积存为液密状态;超声波赋予装置,其使传播了超声波振动的液体碰撞到上述振动构件的对置面之外的非对置面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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