[发明专利]纳米部件的掺杂方法，制作场效应晶体管和纳米管场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 200510124674.3 | 申请日： | 2005-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1841664A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 陈佳;阿里·阿夫扎利－阿达卡尼;克里斯蒂·卡林科;费顿·阿沃利斯;迪米特里·V.·塔拉平;克里斯托弗·默里 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/24 | 分类号： | H01L21/24;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了对纳米部件的掺杂方法，包括纳米管、纳米晶体和纳米线，该方法通过将纳米部件暴露于含有机胺的掺杂剂中进行掺杂。也提供了制作包含已经用这样的掺杂剂进行掺杂的纳米部件的场效应晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 部件 掺杂 方法 制作 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种对纳米部件的掺杂方法，包括以下步骤：(a)将纳米部件暴露于掺杂剂中，掺杂剂选自联氨，单、双、三或四-三甲基甲硅烷联氨，联氨衍生物，双环二叠氮基十一烷，以及聚苯胺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
