[发明专利]发光二极管的晶圆级测试方法及构造

摘要

本发明是有关于一种发光二极管的晶圆级测试方法及构造。该发光二极管的晶圆级测试方法，首先提供有一LED半导体晶圆，将一胶带贴附在该LED半导体晶圆的背面，再切割该LED半导体晶圆成为复数个在该胶带上的LED芯片，在测试该些LED芯片时，以一探测卡的复数个探触结构欧姆接触该些LED芯片的P型电极与N型电极，每一探触结构包括有一光侦测器，其是对应于该些LED芯片上方，用以侦测该些LED芯片发生的光源。本发明可以达到大量与快速地晶圆级测试复数个发光二极管，其还可以达到大量与快速地测试LED覆晶芯片的功效，非常适于实用。

主权项

1、一种发光二极管(LED)的晶圆级测试方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一LED半导体晶圆，该LED半导体晶圆具有一正面及一背面，该正面设有复数个P型电极及复数个N型电极；贴附一胶带于该LED半导体晶圆的背面；切割该LED半导体晶圆而形成复数个在该胶带上的LED芯片；以及以一探测卡测试该些LED芯片，该探测卡包括有复数个探触结构，每一探触结构具有复数个探触端及一光侦测器，该些探触端是欧姆接触该些LED芯片的该些P型电极与该些N型电极，而该些光侦测器是设于对应探触结构的探触端之间，当一电压藉由该些探触结构施加予该些LED芯片，该些光侦测器是侦测该些LED芯片发生的光源。