[发明专利]薄膜形成装置的洗净方法、薄膜形成装置及程序无效
| 申请号： | 200510112808.X | 申请日： | 2005-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1763915A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 冈田充弘;远藤笃史;西村俊治;长谷部一秀 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/3205;C23C16/44;C23C14/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以有效除去附着在被处理装置内部的反应生成物的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成装置。其中，热处理装置(1)的控制部(100)将反应管内加热到400℃～700℃，同时从处理气体导入管(17)供给含有氟与氟化氢的洗净气体，除去附着物。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 装置 洗净 方法 程序 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜形成装置的洗净方法，是向薄膜形成装置的反应室内供给处理气体，在被处理体上形成薄膜后，除去装置内部附着的附着物的薄膜形成装置的洗净方法，其中，具有向加热到规定温度的反应室内供给含有氟与氟化氢的洗净气体，将该洗净气体活化，由该活化的气体除去所述附着物，对装置内部进行清洗的工序，所述附着物含有四乙氧基硅烷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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