[发明专利]集成电路制造的扫描电子显微镜的样品结构及其制备方法有效
申请号: | 200510110573.0 | 申请日: | 2005-11-17 |
公开(公告)号: | CN1967774A | 公开(公告)日: | 2007-05-23 |
发明(设计)人: | 万旭东;郭力奇;王邕保 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66;G01B15/00;G01N23/04;H01J37/28 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陈红 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种使用校准基准的方法。该方法包括提供校准基准。在特定实施例中,校准基准具有衬底、一定厚度的具有边缘区域的材料;和部署在边缘区域上的均匀厚度的保形材料。基准还具有位于边缘区域上具有均匀厚度的上表面图样。该方法还包括使用上表面图样进行扫描电子显微镜的校准过程。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 制造 扫描 电子显微镜 样品 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造集成电路器件的方法,所述方法包括形成用于SEM工艺的校准基准,所述用于形成校准基准的方法包括:提供一个包括表面区域的衬底,所述表面区域具有预定的平整度;形成覆盖在所述表面区域上的一定厚度的材料,所述一定厚度的材料具有一定厚度的表面区域;在所述一定厚度的材料的一部分中形成一个具有第一深度的凹进区域,所述凹进区域包括底部部分和边缘部分;形成一个均匀厚度的保形层,所述保形层覆盖在包括所述凹进区域、底部部分和边缘部分的所述一定厚度的材料上,并且填充所述第一深度的一部分,使得保形层表面低于所述一定厚度的表面区域,以使得所述凹进区域具有从所述一定厚度的表面区域到所述保形层表面区域的第二深度;以填充材料填充整个所述凹进区域到所述第二深度以形成最终的表面区域;通过对所述一定厚度的表面区域曝光来平面化所述最终的表面区域以形成具有均匀厚度的图样;选择性地去除所述一定厚度的材料的一部分和所述填充材料的一部分以从所述具有均匀厚度的图样中形成抬升的图样结构,所述抬升图样具有一个高度,所述高度超过了所述一定厚度的材料的表面区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造