[发明专利]集成电路制造的扫描电子显微镜的样品结构及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200510110573.0 申请日: 2005-11-17
公开(公告)号: CN1967774A 公开(公告)日: 2007-05-23
发明(设计)人: 万旭东;郭力奇;王邕保 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/66;G01B15/00;G01N23/04;H01J37/28
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 代理人: 陈红
地址: 201203*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种使用校准基准的方法。该方法包括提供校准基准。在特定实施例中,校准基准具有衬底、一定厚度的具有边缘区域的材料;和部署在边缘区域上的均匀厚度的保形材料。基准还具有位于边缘区域上具有均匀厚度的上表面图样。该方法还包括使用上表面图样进行扫描电子显微镜的校准过程。
搜索关键词: 集成电路 制造 扫描 电子显微镜 样品 结构 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种用于制造集成电路器件的方法,所述方法包括形成用于SEM工艺的校准基准,所述用于形成校准基准的方法包括:提供一个包括表面区域的衬底,所述表面区域具有预定的平整度;形成覆盖在所述表面区域上的一定厚度的材料,所述一定厚度的材料具有一定厚度的表面区域;在所述一定厚度的材料的一部分中形成一个具有第一深度的凹进区域,所述凹进区域包括底部部分和边缘部分;形成一个均匀厚度的保形层,所述保形层覆盖在包括所述凹进区域、底部部分和边缘部分的所述一定厚度的材料上,并且填充所述第一深度的一部分,使得保形层表面低于所述一定厚度的表面区域,以使得所述凹进区域具有从所述一定厚度的表面区域到所述保形层表面区域的第二深度;以填充材料填充整个所述凹进区域到所述第二深度以形成最终的表面区域;通过对所述一定厚度的表面区域曝光来平面化所述最终的表面区域以形成具有均匀厚度的图样;选择性地去除所述一定厚度的材料的一部分和所述填充材料的一部分以从所述具有均匀厚度的图样中形成抬升的图样结构,所述抬升图样具有一个高度,所述高度超过了所述一定厚度的材料的表面区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510110573.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top