[发明专利]低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法无效
| 申请号： | 200510108665.5 | 申请日： | 2005-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1953143A | 公开（公告）日： | 2007-04-25 |
| 发明（设计）人： | 陈美玲;陈哲明;赖国智;苏文杰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/4757 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种低介电材料的回复方法，是应用于形成有低介电材料的衬底上，此衬底已经过先前工艺，致使低介电材料的介电常数升高。此回复方法的特征在于对低介电材料进行等离子体处理，以降低其介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 低介电 材料 多孔 隙低介电层 回复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低介电材料的回复方法，应用于形成有低介电材料的衬底上，此衬底已经过先前工艺，致使前述低介电材料的介电常数升高，此回复方法的特征在于：对前述低介电材料进行等离子体处理，以降低其介电常数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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