[发明专利]存储器

摘要

本发明提供一种可减小存储器单元大小的存储器。在该存储器中，第一选择晶体管的第一栅极电极和第二选择晶体管的第二栅极电极与字线一体化设置，并且，俯视看，在相对存储器单元的形成区域上第一杂质的延伸方向倾斜的方向上延伸的同时，与第一选择晶体管及第二选择晶体管的形成区域上第一杂质区域交叉地配置。

主权项

1.一种存储器，其特征在于，具备：包含矩阵状配置的存储器单元的存储器单元阵列区域；设置在多个所述存储器单元的每一个上的第一选择晶体管及第二选择晶体管；起构成所述存储器单元一部分的电极的作用，并且起所述第一选择晶体管及所述第二晶体管的源/漏极区域的一方的作用的第一杂质区域；起所述第一选择晶体管及所述第二选择晶体管的源/漏极区域的另一方作用的第二杂质区域；以及在所述存储器单元阵列区域上沿所述第一杂质区域设置的字线，所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管共享所述第二杂质区域，所述第一选择晶体管的第一栅极电极和所述第二选择晶体管的第二栅极电极与所述字线一体化设置，并且，俯视看，在相对所述存储器单元的形成区域上所述第一杂质的延伸方向倾斜的方向上延伸的同时，与所述第一选择晶体管及所述第二选择晶体管的形成区域的所述第一杂质区域交叉地配置，通过所述第一选择晶体管和所述第二选择晶体管分割所述第一杂质区域。