[发明专利]具有超结结构的半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括：中心区域(12)；周边区域(14，26a，26b)；和半导体层(26)，它包括多对具有第一杂质量的第一区域(25、25a、25b)和具有第二杂质量的第二区域(27、27a、27b)。第一和第二区域(25、25a、25b、27、27a、27b)在平面内交替排列。周边区域(14、26a、26b)包括最外周边对以及最内周边对(25a、25b、27a、27b)。最外周边对(25b、27b)在第二杂质量和第一杂质量之间具有差值(126b)，该差值(126b)小于周边区域(14、26a、26b)中的最大差值(126a)。最内周边对(25a、27a)在第二杂质量和第一杂质量之间具有差值(126a)，该差值(126a)大于中心区域(12)中的差值(112)。

主权项

1、一种半导体器件，包括：中心区域(12)，其中设置半导体开关器件；包围所述中心区域(12)的周边区域(14、26a、26b)以及半导体层(26)，包括多对具有第一导电类型的第一区域(25、25a、25b)和具有第二导电类型的第二区域(27、27a、27b)，其中所述半导体层(26)从所述中心区域(12)设置到所述周边区域(14、26a、26b)，所述第一和第二区域(25、25a、25b、27、27a、27b)在所述器件的厚度方向上延伸，所述第一和第二区域(25、25a、25b、27、27a、27b)在垂直于所述器件厚度方向的平面内交替排列，所述第一区域(25、25a、25b)包括第一杂质量，并且第二区域(27、27a、27b)包括第二杂质量，所述周边区域(14、26a、26b)包括所述第一和第二区域(25b、27b)的最外周边对(25b、27b)以及所述第一和第二区域(25a、27a)的最内周边对(25a、27a)，紧临所述中心区域(12)设置所述最内周边对(25a、27a)，所述最外周边对(25b、27b)设置在所述周边区域(14、26a、26b)的最外侧，所述最外周边对(25b、27b)在所述第二区域(27b)的所述第二杂质量和所述第一区域(25b)的所述第一杂质量之间具有差值(126b)，该差值(126b)小于所述周边区域(14、26a、26b)中的另一对(25a、27a)所述第一和第二区域(25a、27a)的所述第二杂质量和所述第一杂质量之间的最大差值(126a)，以及所述最内周边对(25a、27a)在所述第二区域(27a)的所述第二杂质量和所述第一区域(25a)的所述第一杂质量之间具有差值(126a)，该差值(126a)大于所述中心区域(12)中的一对(25、27)所述第一和第二区域(25、27)的所述第二杂质量和所述第一杂质量之间的差值(112)。