[发明专利]半导体激光阵列及半导体激光阵列的制造方法无效
| 申请号： | 200510099204.6 | 申请日： | 2005-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1747265A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 田中明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/22;H01S5/10;H01S5/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王琼 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体激光阵列，其包括基片以及位于基片上的第一激光元件，第一激光元件用于发射第一波长的激光。第一激光元件具有第一多层机构，第一多层结构包括第一激活层和第一波导结构。第一激活层具有一第一发射中心。在基片和第一多层结构上设置了第二激光元件，该元件用于发射出第二波长的激光。第二激光元件具有第二多层结构，第二多层结构包括第二激活层和第二波导结构。第二激活层具有第二发射中心。第二发射中心与第一发射中心在横向上和垂直方向上相互分来。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体激光阵列，其包括：基片；位于基片上的第一激光元件，其用于发射第一波长的激光，该第一激光元件具有第一多层机构，第一多层结构具有第一激活层和第一波导结构，第一激活层具有第一发射中心；以及位于基片上的第二激光元件，该元件位于第一多层结构之上，用于发射出第二波长的激光，其具有第二多层结构，第二多层结构具有第二激活层和第二波导结构，第二激活层具有第二发射中心，第二发射中心与第一发射中心在横向上和垂直方向上相互分隔开。
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