[发明专利]磁存储器及其制造方法无效
| 申请号： | 200510099016.3 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1783334A | 公开（公告）日： | 2006-06-07 |
| 发明（设计）人： | 钟江义晴 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;H01L43/08;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 通过使MRAM的TMR比改善，提供一种高速、高可靠性的MRAM。该方法的特征在于，MRAM的TMR元件的铁磁性层变为拉伸应变状态，磁化增大。 | ||
| 搜索关键词： | 磁存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储层采用TMR元件的磁存储器，其特征在于：构成所述存储层的元件的铁磁性层成为拉伸应变状态，所述铁磁性层含有Fe、Co、Ni的任一个，与所述铁磁性层相邻接的布线层含有Ru、W、Ir、Os、Mo的任一个。
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