[发明专利]隔离基板杂讯的集成电路结构和其形成方法无效
申请号: | 200510098328.2 | 申请日: | 2005-09-07 |
公开(公告)号: | CN1761059A | 公开(公告)日: | 2006-04-19 |
发明(设计)人: | 连万益;邓端理 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种隔离基板杂讯的集成电路结构和其形成方法,在本发明的较佳实施例中,在基板上的第一电路区域和第二电路区域间利用质子轰击形成第一半绝缘区域,沿着第一半绝缘区域的两侧形成两个护环。从基板的背部利用质子轰击在基板内形成第二半绝缘区域。在一较佳的实施例,此第一半绝缘区域与第二半绝缘区域相连接。在一较佳的实施例,在基板底部紧邻第二半绝缘区域形成一接地的护层。 | ||
搜索关键词: | 隔离 杂讯 集成电路 结构 形成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种集成电路结构,其特征在于其包括:一第一电路区域,在一基板上;一第二电路区域,在该基板上;一第一半绝缘区域,在该第一电路区域和该第二电路区域间,其中该第一半绝缘区域从该基板的上表面实质延伸到该基板内部;一第一护环,位在该第一半绝缘区域的一侧,其中该第一护环从该基板的上表面实质延伸到该基板内部;以及一第二半绝缘区域,从该基板的背部实质延伸到该基板内部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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