[发明专利]形成压阻器件的方法与形成电路布局的方法无效

专利信息
申请号: 200510098017.6 申请日: 2005-09-01
公开(公告)号: CN1925134A 公开(公告)日: 2007-03-07
发明(设计)人: 林弘毅;刘娉婷;蔡宗勋 申请(专利权)人: 探微科技股份有限公司
主分类号: H01L21/82 分类号: H01L21/82;H01L29/84;H01L49/00;G01L1/18;G01L9/06
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明公开了一种形成压阻器件的方法与形成电路布局的方法。该方法首先提供晶片,并在该晶片的正面形成电路布局,其中该电路布局包含有至少一个第一压阻器件布局和至少一个第二压阻器件布局,且该第一压阻器件布局与该第二压阻器件布局分别包含有多个第一结点与多个第二结点。接着在该电路布局上形成至少一个介电层,并图案化该介电层以选择性地暴露出第一结点或第二结点。随后在该介电层上形成连接图案,且该连接图案电连接第一结点或第二结点。
搜索关键词: 形成 器件 方法 电路 布局
【主权项】:
1、一种可选择多种规格的形成压阻器件的方法,包含有:提供晶片,且所述晶片包含有正面;在所述晶片的所述正面形成电路布局,所述电路布局包含有至少一个第一压阻器件布局与至少一个第二压阻器件布局,且所述第一压阻器件布局与所述第二压阻器件布局分别包含有多个第一结点与多个第二结点;在所述电路布局上形成至少一个介电层,并图案化所述介电层以选择性地暴露出所述等第一结点与所述等第二结点的其中之一;以及在所述介电层上形成连接图案,且所述连接图案电连接所述等第一结点与所述等第二结点的其中之一。
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