[发明专利]形成压阻器件的方法与形成电路布局的方法无效
申请号: | 200510098017.6 | 申请日: | 2005-09-01 |
公开(公告)号: | CN1925134A | 公开(公告)日: | 2007-03-07 |
发明(设计)人: | 林弘毅;刘娉婷;蔡宗勋 | 申请(专利权)人: | 探微科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L29/84;H01L49/00;G01L1/18;G01L9/06 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开了一种形成压阻器件的方法与形成电路布局的方法。该方法首先提供晶片,并在该晶片的正面形成电路布局,其中该电路布局包含有至少一个第一压阻器件布局和至少一个第二压阻器件布局,且该第一压阻器件布局与该第二压阻器件布局分别包含有多个第一结点与多个第二结点。接着在该电路布局上形成至少一个介电层,并图案化该介电层以选择性地暴露出第一结点或第二结点。随后在该介电层上形成连接图案,且该连接图案电连接第一结点或第二结点。 | ||
搜索关键词: | 形成 器件 方法 电路 布局 | ||
【主权项】:
1、一种可选择多种规格的形成压阻器件的方法,包含有:提供晶片,且所述晶片包含有正面;在所述晶片的所述正面形成电路布局,所述电路布局包含有至少一个第一压阻器件布局与至少一个第二压阻器件布局,且所述第一压阻器件布局与所述第二压阻器件布局分别包含有多个第一结点与多个第二结点;在所述电路布局上形成至少一个介电层,并图案化所述介电层以选择性地暴露出所述等第一结点与所述等第二结点的其中之一;以及在所述介电层上形成连接图案,且所述连接图案电连接所述等第一结点与所述等第二结点的其中之一。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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