[发明专利]半导体激光二极管无效
| 申请号： | 200510097678.7 | 申请日： | 2005-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1790843A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 赵秀行 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/22;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光二极管。该半导体激光二极管包括衬底、衬底上的下包层、下包层上的有源层、以及在有源层上且具有在竖直方向凸出的脊的上包层。在上包层中，通过在脊的两侧扩散杂质形成杂质层从而抑制高阶横模的激光。杂质为Ga离子自由空穴或Zn离子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光二极管，包括：衬底；衬底上的下包层；所述下包层上的有源层；及在所述有源层上且具有沿垂直方向凸出的脊的上包层，其中所述上包层包括杂质层，所述杂质层通过在所述脊的两侧扩散杂质而形成从而抑制高阶横模的激光。
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