[发明专利]存储器的晶体管结构及其制造方法

摘要

本发明涉及存储器的晶体管结构及其制造方法。一种存储器，包括从半导体衬底突出的有源区。凹槽形成于有源区中。场氧化物层形成于该半导体衬底上。栅极电极114跨过该有源区延伸并与该凹槽重叠。栅极绝缘层置于栅极电极和有源区之间。源极和漏极区形成于该有源区中。如果沿着源极－漏极线截取上述晶体管结构，则其定义凹式晶体管结构，如果沿着栅极线截取该晶体管结构，则其定义鳍式晶体管结构。此晶体管结构能够确保足够的数据保持时间并且改善电流驱动能力，同时降低阈值电压的反偏压依赖性。

主权项

1.一种包括晶体管的存储器，所述晶体管结构包括：有源区，从半导体衬底的预定部分突出；凹槽，形成于设置在所述有源区中的沟道区中；场氧化物层，形成于所述半导体衬底之上，所述场氧化物层定位为低于包括所述凹槽的所述有源区的上表面；栅极电极，跨过所述有源区的上面部分延伸并且与所述凹槽重叠；栅极绝缘层，置于所述栅极电极和所述有源区之间；及源极和漏极区，每个形成于所述栅极电极一侧处的所述有源区中。