[发明专利]非挥发性存储器的制造方法

摘要

一种非挥发性存储器的制造方法，在存储单元区的基底上形成多个第一存储单元，包括第一复合层、第一栅极与顶盖层，且相邻二个第一存储单元之间具有一个间隙。然后，于这些间隙中的形成多个栅极，这些栅极与第二复合层构成第二存储单元，且这些第二存储单元与这些第一存储单元构成一个存储单元行。在此一工艺中，同时形成周边电路区的栅极结构。其中，这些间隙中的多个栅极与周边电路区的栅极由不同导体层所形成。

主权项

1、一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供一基底，其至少可区分为一存储单元区及一周边电路区；于该存储单元区的该基底上形成多个第一存储单元，且相邻二个第一存储单元之间具有一间隙；于该基底上形成一第二复合层，其包括一第二电荷储存层；于该基底上形成一第一导体层，以覆盖该些第一存储单元并填满该些间隙；进行一移除步骤，以移除部分该第一导体层及该第二复合层，而于该存储单元区中形成填满该些间隙的多个第二栅极，该些第二栅极与该第二复合层形成多个第二存储单元，且该些第二存储单元与该些第一存储单元构成一第一存储单元行；于该周边电路区的该基底上形成一栅介电层；于该基底上形成一第二导体层，以覆盖该周边电路区中的该栅介电层，且覆盖该存储单元区中的该第一存储单元行；于该第二导体层上形成一介电层；图案化该介电层与该第二导体层，以于该周边电路区形成多个栅极结构，并移除该存储单元区中的该介电层与该第二导体层；以及于该第一存储单元行两侧的该基底中各形成一源极/漏极区。