[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510092005.2 | 申请日： | 2005-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1738059A | 公开（公告）日： | 2006-02-22 |
| 发明（设计）人： | 小槻一贵 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件(1)具有衬底(10)、第一栅极电极(41)和第二栅极电极(42)。所述衬底(10)具有由隔离区(RX)环绕的有源区(RY)。所述第一栅极电极(41)通过栅极绝缘膜(30)，形成在所述有源区(RY)上。所述第二栅极电极(42)形成在所述栅极绝缘膜(30)上，从而使所述第二栅极电极(42)与所述有源区(RY)和所述隔离区(RX)之间的边界(B)的至少一部分重叠。所述第一栅极电极(41)和所述第二栅极电极(42)彼此分离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：衬底，具有由隔离区环绕的有源区；第一栅极电极，通过栅极绝缘膜，形成在所述有源区上；以及第二栅极电极，形成在所述栅极绝缘膜上，与所述有源区和所述隔离区之间的边界的至少一部分重叠，所述第二栅极电极和所述第一栅极电极彼此分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510092005.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于操作旋转式机器的方法和系统
- 下一篇：形成延伸压区的装置
- 同类专利
- 专利分类
