[发明专利]P型通道存储器的操作方法

摘要

一种P型通道存储器的操作方法，此P型通道存储器至少是包括：基底、位于基底上的栅极、位于基底与栅极之间的电荷陷入结构，以及位于电荷陷入结构两侧的基底中的第一源极/漏极与第二源极/漏极。此方法在进行抹除操作时，于第二源极/漏极施加第一电压，第一源极/漏极施加第二电压，栅极施加第三电压，基底施加第四电压。利用三次热空穴机制将热空穴注入电荷陷入结构中，以抹除P型通道存储器。其中，第三电压与第四电压的压差的绝对值小于或等于6伏特，且第二电压小于第三电压。

主权项

1、一种P型通道存储器的操作方法，该P型通道存储器至少包括：一基底；一栅极，位于该基底上；一电荷陷入结构，位于该基底与该栅极之间；一第一源极/漏极与一第二源极/漏极，位于该电荷陷入结构两侧的该基底中；且该方法包括：进行程序化操作时，将电子注入该第一源极/漏极侧的该电荷陷入结构中，以于该P型通道存储器存入一第一位；以及进行抹除操作时，于该第二源极/漏极施加一第一电压，该第一源极/漏极施加一第二电压，该栅极施加一第三电压，该基底施加一第四电压，利用三次热空穴机制将热空穴注入该第一源极/漏极侧的该电荷陷入结构中，以抹除先前存入该P型通道存储器的该第一位，其中，该第三电压与该第四电压的压差的绝对值小于或等于6伏特，且该第二电压小于该第三电压。