[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200510091698.3 | 申请日： | 2005-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1750169A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 末冈厚志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体存储器件包括：多个存储单元配置成矩阵状的第1存储单元阵列，所述各存储单元具有存储单元晶体管和存储单元电容器，所述存储单元电容器具有第1电极和第2电极；通过所述存储单元晶体管与所述第1电极连接的多条位线；与所述存储单元晶体管的栅极电极连接的多条字线；以及向所述第2电极供给规定电位的极板电位发生电路1。所述极板电位发生电路1配置在所述字线的延长方向即第1方向并离配置在所述第1存储单元阵列两侧的存储单元大致相同距离的第1线上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：多个存储单元配置成矩阵状的第1存储单元阵列，所述各存储单元具有存储单元晶体管和存储单元电容器，所述存储单元电容器具有第1电极和第2电极；通过所述存储单元晶体管与所述第1电极连接的多条位线；与所述存储单元晶体管的栅极电极连接的多条字线；以及向所述第2电极供给规定电位的第1极板电位发生电路，其特征在于，所述第1极板电位发生电路配置在是所述字线的延长方向即第1方向并离配置在所述第1存储单元阵列两侧的存储单元大致相同距离的第1线上。
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