[发明专利]半导体器件

摘要

半导体器件(100)包括在该半导体衬底上形成的多层布线结构。该多层布线结构包括：至少第一层间介电膜(120)，在第一层间介电膜(120)中形成互连(124)，以及至少第二层间介电膜(122)，在第二层间介电膜(122)中形成过孔(126)。该多层布线结构包括：其中形成有互连(124)和过孔(126)的电路区域(110)；在电路区域(110)周围形成的密封环区域(112)，其中形成围绕该电路区域(110)的密封环以密封该电路区域(110)；以及在密封环区域(112)周围形成的周边区域(114)。半导体器件(100)还包括由金属材料形成的虚拟过孔(136)，其形成在周边区域(114)处的第二层间介电膜(122)中。

主权项

1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的多层布线结构，所述多层布线结构包括在其中形成有互连的至少第一层间介电膜以及在其中形成有过孔的至少第二层间介电膜，所述多层布线结构包括：其中形成有所述互连和所述过孔的电路区域；形成在所述电路区域周围的密封环区域，在密封环区域中形成围绕所述电路区域的密封环；以及在所述密封环区域周围形成的周边区域；和在所述周边区域的所述第二层间介电膜中形成的虚拟过孔，所述虚拟过孔由金属材料形成。