[发明专利]N型碳纳米管场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200510087415.8 | 申请日： | 2005-07-22 |
| 公开（公告）号： | CN1755942A | 公开（公告）日： | 2006-04-05 |
| 发明（设计）人： | 裵恩珠;闵约赛;朴玩濬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有n型碳纳米管的场效应管(CNT FET)以及制备该n型CNT FET的方法。该n型CNT FET包括：衬底；形成衬底上并彼此分隔开的电极；形成于衬底上并电连接到电极的碳纳米管；形成于碳纳米管上的栅极氧化层；以及形成于栅极氧化层上的栅极电极，其中栅极氧化层含有电子施主原子，该电子施主原子向碳纳米管贡献电子，使得碳纳米管是由电子施主原子n掺杂的。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种n型碳纳米管场效应晶体管，包括：衬底；电极，形成于所述衬底上并彼此分隔开；碳纳米管，形成于所述衬底上并电连接到所述电极；栅极氧化层，形成于所述碳纳米管上；以及栅极电极，形成于所述栅极氧化层上；其中，所述栅极氧化层含有电子施主原子，所述电子施主原子向所述碳纳米管贡献电子，使得所述碳纳米管是由所述电子施主原子n掺杂的。
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