[发明专利]氮化硅膜形成方法及装置有效
| 申请号： | 200510087160.5 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1881544A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 长谷部一秀;冈田充弘 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种氮化硅膜的形成方法，首先在反应容器的处理区域内通过CVD在被处理基板上堆积氮化硅膜。这里，在第一时间内，向处理区域内供给含有硅烷类气体的第一处理气体和含有氮化气体的第二处理气体，同时，将处理区域设定为第一温度及第一压力。然后，在处理区域内氮化氮化硅膜的表面。这里，在比第一时间短的第二时间内，向处理区域内不供给所述第一处理气体，而是供给含有氮化气体的表面处理气体，同时，将处理区域设定为第二温度及第二压力。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 形成 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种氮化硅膜的形成方法，其特征在于，包括：在反应容器的处理区域内，通过CVD在被处理基板上堆积氮化硅膜的工序；这里，在第一时间内，向所述处理区域内供给含有硅烷类气体的第一处理气体和含有氮化气体的第二处理气体，同时，将所述处理区域设定为第一温度以及第一压力；和在所述处理区域内，氮化所述氮化硅膜的表面的工序；这里，在比第一时间短的第二时间内，向所述处理区域内不供给所述第一处理气体，而是供给含有氮化气体的表面处理气体，同时，将所述处理区域设定为第二温度以及第二压力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510087160.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
