[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 200510081329.6 | 申请日： | 2005-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN1716635A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 朴炳建 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;G09F9/30;G09G3/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括具有第一区域和第二区域的衬底、形成于第一区域和第二区域中的半导体层图案、形成于第一区域的半导体层图案的沟道区域上的第一栅极绝缘层图案。第二栅极绝缘层图案形成于衬底上，第一导电层图案形成于第一区域的沟道区域和第二区域的半导体层图案之上，层间绝缘层形成于衬底上。第二导电层图案形成于第一区域中和第二区域的第一导电层图案上。第一区域的第二导电层图案通过第二栅极绝缘层和层间绝缘层耦合至第一区域的半导体层图案。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：衬底，具有第一区域和第二区域；半导体层图案，形成于所述第一区域和第二区域中；第一栅极绝缘层图案，形成于所述第一区域的半导体层图案的沟道区域上；第二栅极绝缘层图案，形成于所述衬底上；第一导电层图案，形成于所述第一区域的沟道区域和所述第二区域的半导体层图案之上；层间绝缘层，形成于所述衬底上；第二导电层图案，形成于所述第一区域中和所述第二区域的第一导电层图案上，其中，所述第一区域的第二导电层图案通过所述第二栅极绝缘层和所述层间绝缘层耦合至所述第一区域的半导体层图案。
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