[发明专利]具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200510080415.5 | 申请日： | 2005-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1892995A | 公开（公告）日： | 2007-01-10 |
| 发明（设计）人： | 郑逸圣 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括：a)形成一多晶硅岛于一基板上；b)依序形成一介电层、一金属层与一覆盖层，覆盖于多晶硅岛上；c)形成一光阻图案层于覆盖层上，并将未被光阻图案层覆盖的部分覆盖层及金属层移除，且被保留的覆盖层的同侧边露出具有一既定距离的部分金属层；d)进行一高剂量离子掺杂程序，利用金属层作为光掩膜，使得未被金属层覆盖的部分多晶硅岛形成一重掺杂区；e)将未被保留的覆盖层覆盖的部分金属层移除；以及f)进行一低剂量离子掺杂程序，利用金属层作为光掩膜，使得未被金属层覆盖的部分多晶硅岛形成一轻掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掺杂 结构 低温 多晶 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有低掺杂漏极结构的低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：形成一多晶硅岛于一基板上；依序形成一介电层、一金属层与一覆盖层，覆盖于所述的多晶硅岛上；形成一光阻图案层于所述的覆盖层上，并将未被所述的光阻图案层覆盖的部分所述的覆盖层及所述的金属层移除，且被保留的所述的覆盖层的同侧边暴露出具有一既定距离的部分所述的金属层；进行一高剂量离子掺杂程序，利用所述的金属层作为光掩膜，使得未被所述的金属层覆盖的部分所述的多晶硅岛形成一重掺杂区；将未被保留的所述的覆盖层覆盖的部分所述的金属层移除；以及进行一低剂量离子掺杂程序，利用所述的金属层作为光掩膜，使得未被所述的金属层覆盖的部分所述的多晶硅岛形成一轻掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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