[发明专利]半导体器件及其制造方法、电子设备

摘要

在形成在由玻璃等制成的衬底上的多晶硅薄膜中形成源极/漏极扩散层和沟道区域，此外，通过栅极绝缘膜形成栅极电极6。将硅氢氮化物膜形成在层间介质膜上，由此能够将包括开关薄膜晶体管的有源元件区域中的氢浓度保持在较高水平，并且硅薄膜中的Si－H键变得稳定。此外，通过由导电氧化物膜形成的下电极将铁电膜设置在硅氢氮化物膜上，由此能够将铁电电容元件层的氧浓度保持在较高水平，并防止了铁电膜中氧缺乏的产生。

主权项

1、一种半导体器件，包括：绝缘衬底；有源元件，形成在位于此绝缘衬底上方的有源元件层中；铁电电容元件，形成在位于有源元件层上方的铁电电容元件层中；以及硅氢氮化物层，形成在有源元件层和铁电电容元件层之间，其中所述有源元件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括具有源极/漏极区域和沟道区域的多晶硅薄膜、形成在沟道区域上方的栅极电极、以及形成在多晶硅薄膜和栅极电极之间的栅极绝缘膜，所述有源元件层具有覆盖多晶硅薄膜并包括嵌入栅极电极的层间介质膜，所述铁电电容元件是通过层叠下电极、铁电层和上电极形成的，并且所述有源元件层的氢浓度高于所述铁电电容元件的氢浓度。