[发明专利]反射电极以及包括其的化合物半导体发光器件无效
| 申请号： | 200510078640.5 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1758455A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | 金美良;郭准燮 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种反射电极以及具有该反射电极的诸如LED或LD的化合物半导体发光器件。形成在化合物半导体发光器件的p型化合物半导体层上的反射电极，包括：第一电极层，其由Ag和Ag合金其中之一形成并与p型化合物半导体层形成欧姆接触；第三电极层，其由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择的材料形成在第一电极层上；以及第四电极层，其由光反射材料形成在第三电极层上。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 电极 以及 包括 化合物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种反射电极，其形成在化合物半导体发光器件的p型化合物半导体层上，包括：第一电极层，其由Ag和Ag合金中的一种形成并与该p型化合物半导体层形成欧姆接触；第三电极层，其由从包括Ni、Ni合金、Zn、Zn合金、Cu、Cu合金、Ru、Ir和Rh的组中选择的材料形成在所述第一电极层上；以及第四电极层，其由光反射材料形成在所述第三电极层上。
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