[发明专利]垂直晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200510077947.3 | 申请日： | 2005-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1713396A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 程慷果;拉玛查恩德拉·迪瓦卡鲁尼;奥莱格·格鲁斯切恩科夫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L27/08;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/82;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作垂直晶体管的结构和方法。本发明的结构包含：其上形成有绝缘层的衬底和形成在其中的沟槽，此沟槽具有通过绝缘层延伸到衬底上表面的上部沟槽区，并具有从上部衬底表面延伸到衬底中的下部沟槽区；形成在上部沟槽侧壁附近的半导体层；形成在半导体层中的上部端子区和下部端子区，其中，沟道区将上部端子区与下部端子区分隔开；从上部端子区延伸到下部端子区并与沟道区接触的栅绝缘体；以及形成在栅绝缘体上的栅导体，此栅绝缘体将栅导体隔离于沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直晶体管，它包含：其上形成有绝缘层的衬底以及形成在所述衬底和所述绝缘层中的沟槽，所述沟槽具有其侧壁通过所述绝缘层延伸到所述衬底的上表面的上部分，并具有其侧壁从所述上部衬底表面延伸到所述衬底中的下部分；形成在至少一个所述上部沟槽侧壁附近的半导体区；形成在所述半导体区中的上部端子区和下部端子区，其中，所述上部端子区与所述下部端子区被沟道区分隔开；从所述上部端子区延伸到所述下部端子区并与所述沟道区接触的栅绝缘体；以及形成在所述栅绝缘体上的栅导体，所述栅绝缘体将所述栅导体与所述沟道区隔离。
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