[发明专利]氮化镓基蓝光发光二极管无效
| 申请号： | 200510072427.3 | 申请日： | 2005-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1862843A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 刘宝林;翁斌斌;秦丽菲;黄瑾;尹以安 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 氮化镓基蓝光发光二极管，涉及一种发光管，尤其是涉及一种高效率的氮化镓基蓝光发光二极管。提供一种发光效率较高、使用寿命较长的氮化镓基蓝光发光二极管。从下至上设有蓝宝石衬底、N－GaN层、有源层、P－GaN层和电流扩展层，在电流扩展层的上表面至N－GaN层设有n型台面，在电流扩展层的上表面设有柱形体阵列，在电流扩展层的上表面和N－GaN层的n型台面上分别设有接线柱。通过运用非平面技术的方法，破坏光学谐振腔，解决光在GaN材料与空气以及三氧化二铝与空气的接触面的全反射问题。又采用ITO透明电极取代合金电极，使其透光率大为提高。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 镓基蓝光 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、氮化镓基蓝光发光二极管，其特征在于从下至上设有蓝宝石衬底、N-GaN层、有源层、P-GaN层和电流扩展层，在电流扩展层的上表面至N-GaN层设有n型台面，在电流扩展层的上表面设有柱形体阵列，在电流扩展层的上表面和N-GaN层的n型台面上分别设有接线柱。
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