[发明专利]编程相变型存储器阵列到置位状态的方法及存储器件电路有效
| 申请号： | 200510071683.0 | 申请日： | 2005-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1697082A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 崔炳吉;金杜应;郭忠根;赵栢衡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种编程相变型存储器阵列的方法和一种相变型存储器件的电路，所述阵列和存储器件都具有多个相变型存储单元，该方法和器件可以使其中所有的相变型存储单元被改变或者设置为置位电阻状态，并且可以减少将该相变型存储器阵列改变为置位电阻状态所需的时间。在这个方法中，可以将具有第一到第n等级的置位电流脉冲施加于该阵列的单元以将这些单元改变为置位电阻状态。按任何等级的施加于相变型存储单元的置位电流脉冲的最小电流电平可以高于该阵列的单元的基准电流电平。置位电流脉冲的指定电流电平可以按顺序逐个等级减小。 | ||
| 搜索关键词： | 编程 相变 存储器 阵列 到置位 状态 方法 存储 器件 电路 | ||
【主权项】：
1.一种编程具有多个相变型存储单元的相变型存储器阵列至置位电阻状态的方法，包括：施加具有第一到第n等级的置位电流脉冲到该阵列的相变型存储单元，以将该单元改变至置位电阻状态，其中按任何等级施加于相变型存储单元的置位电流脉冲的最小电流电平高于该阵列的单元的基准电流电平，其中置位电流脉冲的指定电流电平按顺序逐个等级减少。
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