[发明专利]用于陶瓷和金属薄膜沉积的前体化合物及其制备方法

摘要

本发明涉及用于陶瓷和金属薄膜沉积的前体化合物。它提供用于在硅基片上沉积陶瓷和金属薄膜的前体化合物，如金属氮化物、金属氧化物、金属硅化物、混合金属氮化物、氧化物与硅化物和纯金属，及其制备方法，以及用所述化合物在所述基片上形成薄膜的方法。

主权项

1.一种用于沉积陶瓷和金属薄膜的化学式1的化合物RN＝M(NR1R2)n-3[N(CH3)C2H5] (化学式1)其中M为周期表中3A、4A、5A、3B、4B、5B、6B、7B或8B族的金属；n为3至6的整数，R、R1、R2可以相同或不同，各自选自烷基、全氟烷基、烷基氨基烷基、烷氧基烷基、甲硅烷基烷基、烷氧基甲硅烷基烷基、环烷基、苄基、烯丙基、烷基甲硅烷基、烷氧基甲硅烷基、烷氧基烷基甲硅烷基和氨基烷基甲硅烷基，所述基团各自具有1至8个氢或碳原子，条件是当n＝5且R选自烷基、甲硅烷基烷基、环烷基和苄基时，R1和R2中的至少一个不是甲基或乙基。